快閃記憶體如何保存資料?
目前市場上常見的快閃記憶體(NAND flash)技術，可達到一個記憶體儲存單元(cell)中存放1位元(bit)、2位元、或3位元的資料。它們分別被稱為單層式儲存(SLC)，多層式儲存(MLC)，以及三層式儲存(TLC)。三者之中，SLC記憶體有最佳的效能表現、最優異的耐久度與可靠度。然而，相較於MLC和TLC，SLC flash的製造成本和售價也最為高昂。
一般認為，SLC有最大的容錯率，這是因為相較於MLC儲存單元可存放2個位元的資料─00，01，10或是11，SLC的每個儲存單元僅用來存放1個位元─ 0 或是 1。當一個位元只分配給一個儲存單元時，裡面存放的資料當然就比較不易出錯。不過，魚與熊掌難兼得，要使用SLC NAND來存放與其他技術(如MLC)同等量的資料，就需要非常多的儲存單元，每位元/儲存單元(bit/cell)的高平均成本，造就了SLC在市場上令企業望而卻步的價格。
耐用度判定
快閃記憶體的壽命取於記憶體可執行的總寫入/抹除次數(P/E cycles)，對於所有快閃記憶體裝置來說，這個數值都是有限的，因為隨著使用次數增加，記憶體的氧化層(oxide layers)會耗損，久而久之無法再保存正確數量的電荷，導致資料變得不可靠。平均而言，SLC通常可保證50,000到1,000,000次的寫入/抹除次數、MLC可達到3,000次、TLC則約達1,000次。*
*註：寫入抹除次數(P/E cycles)會根據flash的類別以及產品製程而有所差別。
從2D平面堆疊到3D堆疊
隨著製程演進，晶圓尺寸逐漸微細化，傳統2D平面堆疊的快閃記憶體也達到了密度上限。故而記憶體廠商開始將視線轉向3D立體堆疊，尋求突破瓶頸。堆疊密度增加亦會產生一些問題，如資料保存時間變短、硬碟可靠度和整體性能不如以往等。所幸，隨著科技發展，硬碟的管理技術也越來越先進，透過變更韌體寫法，奈米製程演進帶來的問題已可獲得解決，讓新世代快閃記憶體裝置能夠發揮其高容量、高性能的優勢，同時維持平易近人的價格。
舉例來說，創見最新推出的3D NAND固態硬碟，除了採用高品質快閃記憶體顆粒打造，更內建創見多項進階技術，提供卓越的性能及絕佳可靠度。SLC快取技術和RAID engine，不僅可提高隨機讀寫的效率，同時延長產品壽命；內建RAID engine資料保護機制，可全面保護資料、提升儲存可靠度；LDPC (Low Density Parity Check) ECC除錯機制可偵測並修正錯誤。這些功能讓記憶體效能更健全，滿足AIoT應用的需求。
走在前沿的96層3D NAND
創見近來導入業界最新3D NAND技術，可將每儲存單元3位元的3D快閃記憶體，垂直堆疊高達96層。此一密度突破相較於前一代64層堆疊而言，不僅大幅提升儲存效益，同時在耐用度方面也保持高水準。創見出廠產品皆經過耐用度測試，其採用96層3D快閃記憶體之固態硬碟與記憶卡鈞可達到3K次抹寫的耐用度，與MLC同級。
兼顧成本效益與可靠性
運用3D堆疊快閃記憶體的產品，除了具備高成本效益，同時性能與可靠度俱佳。創見的96層3D NAND產品兼顧高速傳輸、高耐用、高穩定度特性，讓SSD發揮不亞於平面堆疊MLC的數據保存能力，同時又避免了後者高成本的缺點。這些固態硬碟結合高抹寫次數、優異性能和耐用度，十分適合工業和企業級應用。