DDR3-1600 Unbuffered SO-DIMM

TS256MSK64W6N-I

  • 2GB
  • 低電壓兼寬溫

同時具備低電壓(1.35V)與寬溫(-40°~85ºC)特性之無緩衝標準尺寸U-DIMM及無緩衝小型SO-DIMM記憶體模組,寬溫特性適合工業機台於嚴苛的操作環境使用。此外,相較於標準DDR3記憶體的1.5伏特,耗電更低僅1.35伏特,可有效為企業達到節能減碳的目標。

規格

記憶體模組

RAM種類
DDR3
DIMM種類
Unbuffered SO-DIMM
速度
1600
時序
CL11
容量
2GB
Rank
1Rx8
DRAM
(256Mx8)x8
電壓
1.35V
Pin
204 pin
電路板高度
1.18 吋

操作環境

工作溫度
  • 標準
    °C (°F) ~ °C (°F)
  • 寬溫
    -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)

保固

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  • 由於工業應用的多元性及複雜性,創見無法保證本產品完全相容於所有平台與使用情境。如有特殊需求及操作環境,建議您購買前先與我們聯繫。

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