半高型系列

DDR4-2666 U-DIMM VLP

DDR4-2666Unbuffered MemoryCL=19

創見DDR4-2666 U-DIMM VLP為半高式 (Very Low Profile) 記憶體,高度僅0.74英吋,可有效運用機箱空間,加強散熱效能,為企業達到降低成本之效果。並擁有1.2伏特低工作電壓特性,不但能減低運作時的溫度,還能減少記憶體控制器的電力負荷,相較於標準DDR3的1.5伏特電壓,有較高的節能效率,達到節能減碳的目標。採用原廠最高等級的DRAM晶片製成,且通過專業的嚴格測試,以確保記憶體擁有完美的效能與可靠度。

特點

  • JEDEC標準電壓1.2V ± 0.06V
  • 8位預取技術
  • 突發長度: 4, 8
  • 支援DBI模式
  • 支援Command / Address位元檢查
  • 支援循環冗餘校驗,增加資料可靠度
  • Bi-directional differential data-strobe
  • ODT技術
  • 經過縝密測試,確保最佳穩定度、相容性及效能

訂購資訊

1.2V

容量 DRAM 創見型號 敘述
8GB 1Gx8 TS1GLH64V6BL 8GB DDR4 2666 U-DIMM 1Rx8 VLP
16GB 1Gx8 TS2GLH64V6BL 16GB DDR4 2666 U-DIMM 2Rx8 VLP

規格

記憶體模組

RAM種類
  • DDR4
DIMM種類
  • U-DIMM
頻率
  • 2666
時序
  • CL19
容量
  • 8 GB
  • 16 GB
Rank
  • 2Rx8
  • 1Rx8
Pin 288 pin
DRAM
  • 1Gx8
電壓 1.2V
電路板高度 0.74 吋

操作環境

工作溫度 0°C (32°F) ~ 85°C (185°F)
備註
  • -

保固

保固
  • 終身有限保固
保固政策
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  • 由於工業應用的多元性及複雜性,創見無法保證本產品完全相容於所有平台與使用情境。如有特殊需求及操作環境,建議您購買前先與我們聯繫。

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