PCIe M.2 SSDs

MTE662T

創見MTE662T固態硬碟搭載PCIe Gen 3 x4介面,符合最新NVMe 1.3規範,帶來前所未有的傳輸效能;採用最新一代3D NAND技術,可堆疊高達96層快閃記憶體,相較於前一代3D NAND的64層堆疊,大幅突破單位密度上限,達到更高的儲存效益。創見MTE662T固態硬碟內建DRAM快取記憶體,提供絕佳的隨機存取速度,同時經過嚴格的廠內測試,達到3K抹寫次數的耐用度等級,優異可靠的性能,完美滿足任務密集型應用的需求。


特點

  • 內建DRAM快取記憶體
  • 耐用度為3K次抹寫週期 (P/E cycles)
  • 搭載PCIe Gen 3 x4 介面
  • 符合PCI Express 3.1規範
  • 符合NVM Express 1.3規範
  • 支援NVM指令
  • 內建SLC caching技術
  • 內建LDPC ECC自動糾錯功能
  • 動態熱能管理機制
  • 符合RoHS 2.0規範
  • 支援創見SSD Scope Pro軟體

規格

外觀

尺寸80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14")
重量9 g (0.32 oz)
外觀尺寸
  • M.2
M.2規格
  • 2280-D2-M

介面

匯流排介面
  • NVMe PCIe Gen3 x4

存儲

Flash類型
  • 3D TLC快閃記憶體
容量
  • 512 GB
  • 1 TB

操作環境

工作電壓
  • 3.3V±5%
工作溫度
  • 標準
    0°C (32°F) ~ 70°C (158°F)
  • 寬溫
    -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
儲存溫度-40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
濕度5% ~ 95%
耐衝擊
  • 1500 G, 0.5 ms, 3 axis
耐振動 (操作中)2.17 G (peak-to-peak), 10 Hz ~ 700 Hz (frequency)
耐振動 (靜止)5 G (peak-to-peak), 10 Hz ~ 2000 Hz (frequency)

效能

連續讀寫速度 (CrystalDiskMark,最大值)讀取: 3,500 MB/s
寫入: 2,800 MB/s
4K隨機讀寫速度 (IOmeter,最大值)讀取: 360,000 IOPS
寫入: 425,000 IOPS
平均故障間隔 (MTBF) 1,500,000 小時
寫入兆位元組 (TBW,最大值)800 TB
備註
  • 傳輸速度會因您的系統效能(硬體、軟體、使用方式、產品容量)而有所不同。
  • 用於評估DWPD數值的工作量可能與您的實際操作環境(硬體、軟體、使用方式、產品容量)不同。

保固

安規認證
  • CE
  • FCC
  • BSMI
保固
  • 三年有限保固
保固政策
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  • 如產品於保固範圍內在SSD Scope的wear-out indicator顯示耗損程度為0%時,則不適用。
  • 由於工業應用的多元性及複雜性,創見無法保證本產品完全相容於所有平台與使用情境。如有特殊需求及操作環境,建議您購買前先與我們聯繫。
  • SSD Scope Pro軟體依需求提供,請與我們聯繫。

訂購資訊

512GB
  • TS512GMTE662T
1TB
  • TS1TMTE662T