半高型系列

DDR3-1600 U-DIMM VLP

DDR3-1600Unbuffer Non-ECC MemoryCL=11

創見DDR3-1600 VLP Long-DIMM為半高式(Very Low Profile)記憶體,高度僅0.74英吋,採用原廠最高等級的DRAM晶片製成,且通過專業的嚴格測試,以確保每張記憶卡擁有完美的效能與可靠度。此記憶體不僅能更有效地運用機箱空間,同時改善散熱效果,更為企業達到降低成本之效果。

特點

  • JEDEC standard 1.5V ± 0.075V Power supply
  • 8 bit pre-fetch
  • Burst Length: 4, 8
  • Bi-directional Differential Data-Strobe
  • Internal calibration through ZQ pin
  • On-die Termination with ODT pin
  • Serial presence detect with EEPROM
  • Asynchronous reset
  • 38% shorter than standard height modules
  • Improved chassis airflow and heat dissipation
  • Top tier name-brand DRAM chips and materials
  • 100% tested for stability, compatibility and performance

訂購資訊

1.35/1.5V

容量 DRAM 創見型號 敘述
4GB 512Mx8 TS512MLK64W6HL DDR3L 1600 U-DIMM 11-11-11 1Rx8 1.35V

規格

記憶體模組

RAM種類
  • DDR3
DIMM種類
  • U-DIMM
頻率
  • 1600
時序
  • CL11
容量
  • 4 GB
Rank
  • 1Rx8
Pin 240 pin
DRAM
  • 512Mx8
電壓 1.5V
電路板高度 0.74 吋

操作環境

工作溫度 0°C (32°F) ~ 85°C (185°F)
備註
  • -

保固

保固
  • 終身有限保固
保固政策
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  • 由於工業應用的多元性及複雜性,創見無法保證本產品完全相容於所有平台與使用情境。如有特殊需求及操作環境,建議您購買前先與我們聯繫。

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