工規溫度系列

DDR4-2666 SO-DIMM

DDR4-2666Unbuffered MemoryCL=19

創見寬溫DDR4-2666 SO-DIMM能適應極冷或極熱的環境(-40°~85ºC),為空間有限的系統帶來無懈可擊的持久性與耐用度。記憶體以最高品質的原廠DRAM晶片與原料製造,且經100%嚴格測試,擁有高度穩定性與跨平台相容性,同時也具備優異的傳輸速度,最適用於電競筆電、小型工業電腦、POS終端機、醫療設備和mini-ITX系統。

特點

  • JEDEC standard 1.2V ± 0.06V power supply
  • 8 bit pre-fetch
  • Burst Length: 4, 8
  • 16 Banks (4 Bank Groups)
  • Support DBI mode
  • Support Command/Address parity detection
  • Support Data Cyclic Redundancy Check (CRC) for improved data reliability
  • Bi-directional differential data-strobe
  • On-die termination with ODT pin
  • Serial presence detect with EEPROM
  • 100% tested for stability, compatibility and performance

訂購資訊

1.2V

容量 DRAM 創見型號 敘述
8GB 1Gx8 TS1GSH64V6B-I DDR4 2666 SO-DIMM 19-19-19 1Rx8 IND
16GB 1Gx8 TS2GSH64V6B-I DDR4 2666 SO-DIMM 19-19-19 2Rx8 IND

規格

記憶體模組

RAM種類
  • DDR4
DIMM種類
  • SO-DIMM
頻率
  • 2666
時序
  • CL19
容量
  • 8 GB
  • 16 GB
Rank
  • 2Rx8
  • 1Rx8
Pin 260 pin
DRAM
  • 1Gx8
電壓 1.2V
電路板高度 1.18 吋

操作環境

工作溫度 -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
備註
  • 工作溫度為環境溫度 (Ta, Ambient Temperature)

保固

保固
  • 終身有限保固
保固政策
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  • 由於工業應用的多元性及複雜性,創見無法保證本產品完全相容於所有平台與使用情境。如有特殊需求及操作環境,建議您購買前先與我們聯繫。

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