PCIe M.2 SSDs

MTE652T2

創見MTE652T2固態硬碟搭載PCIe Gen 3 x4介面,符合NVMe 1.3規範,展現前所未有的傳輸效能。採用最新一代3D快閃記憶體,大幅突破單位密度上限,打造高儲存效益。30µ"金手指厚金鍍層PCB及緣補強技術(Corner Bond)提供絕佳耐用性,並內建DRAM快取記憶體,加快隨機存取速度。此外,MTE652T2固態硬碟具備類寬溫(-20°C ~ 75°C)特性,賦予其抗熱耐寒表現,並具備3K抹寫次數的耐用度等級。

創見亦推出寬溫規格的MTE652T2-I固態硬碟,可於-40°C到85°C下穩定運作,以確保工業機台於任務密集型應用中穩定運作,實現卓越的運作效能、最佳耐用度及可靠性。


韌體特點

  • 支援NVM指令
  • 動態熱能管理機制
  • 內建LDPC ECC自動糾錯功能
  • 支援全區平均抹寫及故障區塊管理,增加可靠度
  • 支援垃圾資料回收機制
  • AES進階加密標準,可於硬體層面完整加密硬碟 (客製功能)

硬體特點

  • 符合RoHS 2.0規範
  • 符合NVM Express 1.3規範
  • 符合PCI Express 3.1規範
  • 符合新一代M.2規格 (長度: 80mm),適用於輕薄型行動裝置
  • 搭載PCIe Gen 3 x4 介面
  • 內建DDR3 DRAM快取記憶體
  • 耐用度為3K次抹寫週期 (P/E cycles)
  • 全系列產品搭載邊緣補強技術(Corner Bond),保護關鍵元件
  • 30µ"金手指厚鍍金工藝
  • 採用抗硫化電阻,抵禦外在環境的硫化威脅
  • 電源保護機制(PS)確保資料傳輸可靠度,降低異常斷電而導致SSD內部資料毀損風險
  • 支援於類寬溫條件(-20℃到75℃)下運作

規格

外觀

尺寸80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14")
重量9 g (0.32 oz)
M.2規格
  • 2280-D2-M (雙面打件)
外觀尺寸
  • M.2 2280

介面

匯流排介面
  • NVMe PCIe Gen3 x4

存儲

容量
  • 64 GB
  • 128 GB
  • 256 GB
  • 512 GB
Flash類型
  • 3D快閃記憶體

操作環境

工作電壓
  • 3.3V±5%
工作溫度
  • 標準溫
    °C (°F) ~ °C (°F)
  • 類寬溫
    -20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)
  • 寬溫
    °C (°F) ~ °C (°F)
儲存溫度-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
濕度5% ~ 95%
耐衝擊
  • 15 G, 11 ms, 3 axis
耐振動 (靜止)20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency)

電量

耗電量 (操作中)3.0 瓦
耗電量 (IDLE)0.6 瓦

效能

連續讀寫速度 (CrystalDiskMark)讀取: 高達 2,100 MB/s
寫入: 高達 1,250 MB/s
4K隨機讀寫速度 (IOmeter)讀取: 高達 190,000 IOPS
寫入: 高達 290,000 IOPS
平均故障間隔 (MTBF)3,000,000 小時
寫入兆位元組 (TBW)高達 1,080 TBW
每日全碟寫入次數 (DWPD)2 (3 年)
備註
  • 傳輸速度會因您的系統效能(硬體、軟體、使用方式、產品容量)而有所不同。
  • 用於評估DWPD數值的工作量可能與您的實際操作環境(硬體、軟體、使用方式、產品容量)不同。
  • 寫入兆位元組 (TBW) 數值以該系列產品最高容量為主。

保固

安規認證
  • CE
  • UKCA
  • FCC
  • BSMI
保固
  • 三年有限保固
保固政策
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  • 如產品於保固範圍內在Scope Pro軟體的wear-out indicator顯示耗損程度為0%時,則不適用。
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訂購資訊

64GB
  • TS64GMTE652T2
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256GB
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